イオン注入による巨大磁気抵抗(GMR)材料と製法


巨大磁気抵抗材料は、磁気ディスク装置(HDD)のヘッド(磁気センサー)などに用いられ、記録の大容量、高密度化を支えている。従来は、スパッタリングとその後のリソグラフィにより製造されて来たが、材料や形状に制約があり、製造工程が複雑であった。本発明によれば、酸化アルミニウム単結晶板に鉄イオンを注入することにより、ドライプロセスで膜形成と素子作製が同時に出来るので、高性能のヘッドが安価に製造できる。
ユーザー業界 概  要
電気・電子
電気・電子
●HDD用GMRヘッド
Al2O3単結晶にイオン注入装置を用いてFeイオンを注入することにより、任意の形状構造のGMR素子を作製できる。膜形成と素子作製が一工程で完了し、磁気抵抗比(MR比)9%程度が得られる。


関連特許 ・なし
事業実績条件 ・実施段階:実証実験レベル
・技術導入時の技術指導の有無:比較的低い単価で技術指導が受けられる
・ノウハウ提供:一部享受できる
・ライセンス制約条件について:非独占の通常実施権のみ可能で、その他の制約無し
参考情報 本発明の応用が期待される磁気ディスク装置は年間約2200万台、5600億円程度生産されており、これらが市場規模の参考数字になるものと推定される。(「機械統計年報」経済産業省)


タイトル
(ライセンス情報)
イオン注入による巨大磁気抵抗材料のドライプロセス製造方法/イオン打ち込みによる素材、形状などの自由度が高い巨大磁気抵抗材料の製造方法

特許権者 独立行政法人産業技術研究所

ライセンス情報番号 L2001001341

お問い合わせ先
〒 305-8561   茨城県つくば市東1-1-4
産学官連携部門 知的財産部 知的財産企画室
主幹 楠本 真
TEL:0298-61-3284  FAX:0298-61-5271

特許番号/ 公開番号 特許2961259
特開平12-22238

権 利 存 続 期 間 17年0ヶ月(平30.7.1満了)

権利化情報  出願日/平10.7.1 公開日/平12.1.21 登録日/平11.8.6