パターン形成方法

開放特許情報番号:L2026000906 開放特許情報登録日:2026/6/4 最新更新日:2026/6/4

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2024/4/12
公開日
2025/10/24
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化前
発明の名称
パターン形成方法
開放特許情報
技術分野
機械・加工 電気・電子 化学・薬品
機能
材料・素材の製造
適用製品
パターン形成方法
目的
2次元層状物質からなるサブミクロンサイズの微細パターンを簡便にかつ高い品質を伴って形成する方法を提供する。
効果
2次元層状物質からなるサブミクロンサイズの微細パターンを簡便にかつ高い品質を伴って形成する方法が提供される。
技術概要
第1主表面に凹部が形成されている基板を準備する基板準備ステップと、
前記基板の前記第1主表面上に2次元層状物質からなるナノシートを配置するナノシート配置ステップと、
粘着体を準備する粘着体準備ステップと、
前記粘着体の第1主表面を前記ナノシートの表面に接触させる接触ステップと、
前記粘着体を前記ナノシートの表面から引き離す引き離しステップを有し、
前記凹部以外の前記基板の前記第1主表面上に前記2次元層状物質からなる層が形成されたパターンを形成する、パターン形成方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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