高い磁気異方性と小さいダンピング定数を両立させたＬ１０−ＦｅＰｔ薄膜及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2026000886
- 開放特許情報登録日
- 2026/6/2
- 最新更新日
- 2026/6/2
基本情報
| 出願番号 | 特願2024-068754 |
|---|---|
| 出願日 | 2024/4/22 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2025/11/4 |
| 発明の名称 | 高い磁気異方性と小さいダンピング定数を両立させたＬ１０−ＦｅＰｔ薄膜及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 高い磁気異方性と小さいダンピング定数を両立させたＬ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜及びその製造方法 |
| 目的 | 高い磁気異方性と小さいダンピング定数を両立させたＬ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜の製造方法を提供する。 |
| 効果 | Ｌ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜によれば、下地材料となる単結晶基板と製膜温度を適切に選択することで、ダンピング定数は０．０１８−０．０４４の範囲で大きく制御できることが明らかとなった。
また、Ｌ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜の製造方法によれば、Ｌ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜のダンピング定数を低減させるために製膜温度や下地材料を変化させることで微細構造の制御でき、最適なミスフィット転移の数のＬ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜が得られる。 |
技術概要) |
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ↓３）よりなる単結晶基板と、
この単結晶基板に積層されたＦｅＰｔ薄膜と、 を備えるＬ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜であって、 ダンピング定数は０．０１８以上０．０４４以下の範囲にあり、 磁気異方性は３．０以上７．０Ｔ以下の範囲に収まる、 Ｌ１↓０−ＦｅＰｔ薄膜。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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