校正方法
- 開放特許情報番号
- L2026000880
- 開放特許情報登録日
- 2026/6/2
- 最新更新日
- 2026/6/2
基本情報
| 出願番号 | 特願2024-083552 |
|---|---|
| 出願日 | 2024/5/22 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2025/12/5 |
| 発明の名称 | 校正方法 |
| 技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 | 校正方法 |
| 目的 | Ｘ線光電子分光法で炭素含有の半導体を測定する場合の校正を正確に行う。 |
| 効果 | Ｘ線光電子分光法で炭素含有の半導体を測定する場合の校正を正確に行うことができる。 |
技術概要) |
炭素含有の半導体に金属の第１の層を形成することと、
前記第１の層が形成された前記半導体をＸ線光電子分光法で測定したときの前記金属の第１のエネルギ準位に由来した第１の結合エネルギを特定することと、 前記第１の層が形成された前記半導体に絶縁体の第２の層を形成することと、 前記第２の層をＸ線光電子分光法で測定したときの前記第１のエネルギ準位に由来した第２の結合エネルギを特定することと、 前記第２の層をＸ線光電子分光法で測定したときの元素の第２のエネルギ準位に由来した第３の結合エネルギを、前記第１の結合エネルギと前記第２の結合エネルギとの差だけ校正した第４の結合エネルギを算出することと、 を含む、校正方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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