目的
Ｘ線光電子分光法で炭素含有の半導体を測定する場合の校正を正確に行う。
効果
Ｘ線光電子分光法で炭素含有の半導体を測定する場合の校正を正確に行うことができる。
技術概要
炭素含有の半導体に金属の第１の層を形成することと、
前記第１の層が形成された前記半導体をＸ線光電子分光法で測定したときの前記金属の第１のエネルギ準位に由来した第１の結合エネルギを特定することと、
前記第１の層が形成された前記半導体に絶縁体の第２の層を形成することと、
前記第２の層をＸ線光電子分光法で測定したときの前記第１のエネルギ準位に由来した第２の結合エネルギを特定することと、
前記第２の層をＸ線光電子分光法で測定したときの元素の第２のエネルギ準位に由来した第３の結合エネルギを、前記第１の結合エネルギと前記第２の結合エネルギとの差だけ校正した第４の結合エネルギを算出することと、
を含む、校正方法。
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