接触電位および比誘電率の測定システムおよび測定方法

開放特許情報番号:L2026000865 開放特許情報登録日:2026/5/28 最新更新日:2026/5/28

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2024/8/5
公開日
2026/2/18
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化前
発明の名称
接触電位および比誘電率の測定システムおよび測定方法
開放特許情報
技術分野
情報・通信 電気・電子
機能
検査・検出
適用製品
接触電位および比誘電率の測定システムおよび測定方法
目的
既存の装置を活用して、接触電位および比誘電率を簡便に測定することが可能な測定システムおよび測定方法を提供する。
効果
既存のKP法用の装置を活用して、接触電位および比誘電率を簡便に測定することが可能な測定システムおよび測定方法が提供される。
技術概要
被測定試料とプローブ電極の間に可変電圧電源を電気的に接続し、前記被測定試料と前記プローブ電極との距離を周期的に変化させ、前記被測定試料と前記プローブ電極との間に流れる電流I↓1または前記電流I↓1を増幅したのちの信号電圧V↓1を測るケルビンプローブ測定方法を用いた測定方法であって、
前記電流I↓1または前記信号電圧V↓1が0になるときの、前記可変電圧電源による印加電圧Vにより接触電位V↓Cを求め、
前記可変電圧電源による印加電圧Vに対して前記信号電圧V↓1の振幅幅V↓(peaktopeak)が描く特性曲線の傾きαと、比誘電率ε′がわかっている材料からなる参照試料を前記特性曲線を得るのと同じ条件で測定した特性曲線の傾きα′を使用して、
ε=ε′×α/α′
から比誘電率εを求める、接触電位および比誘電率の測定の測定方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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