目的
半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用するエキシマレーザの高価な希ガスを含むレーザガスを精製・再利用し、製造コストを削減する
効果
不純物濃度が高い処理対象ガスが供給された場合であっても、除去器の除去能力に大きなダメージが与えられることを防止し、継続的な運転を可能にする
技術概要
処理対象ガス（主にレーザ装置から排出された使用済みレーザガス）を精製するガス処理装置の基本構成を規定したものである。
装置は3つの主要要素から構成される。第一にバッファタンク（T2）であり、処理対象ガスが供給されるタンクである。第二に第一の除去器（20）であり、バッファタンクから供給されたガス中の不純物（水・酸素等）を除去するフィルタである。第三に循環手段（循環ユニット21）であり、バッファタンクと除去器との間でガスを繰り返し循環させるポンプ・配管系である。
この構成の技術的なポイントは、バッファタンクによる希釈効果にある。レーザ装置から不純物濃度が著しく高いガスが供給されても、タンク内にすでに精製済みのガスが混在しているため、除去器に直接高濃度ガスが流入することを防ぐ。そして循環によってタンク内の不純物濃度を徐々に低下させ、十分に浄化されたガスだけをバッファタンクから下流へ排出する仕組みである。
これにより、除去器の除去能力へのダメージを防ぎつつ、システムを停止することなく継続運転を可能にするという課題を解決したものである。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
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