| 出願番号 |
特願2023-106223 |
| 出願日 |
2023/6/28 |
| 出願人 |
東京都公立大学法人 |
| 公開番号 |
特開2025-005832 |
| 公開日 |
2025/1/17 |
| 発明の名称 |
深紫外光透過型透明電極付き基材及び深紫外光透過型透明電極付き基材の製造方法 |
| 技術分野 |
金属材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 |
深紫外光透過型透明電極付き基材及び深紫外光透過型透明電極付き基材の製造方法 |
| 目的 |
深紫外線に対する透過性の高い、深紫外光透過型透明電極付き基材及び深紫外光透過型透明電極付き基材の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
構成元素の少ない透明導電性組成物を備え、深紫外線に対する透過性の高い、深紫外光透過型透明電極及び深紫外光透過型透明電極の製造方法を提供することができる。 |
技術概要
 |
透明基材と、前記透明基材上に形成された透明酸化物層と、を備え、
前記透明基材は、サファイア基材と、窒化アルミニウム基材と、窒化アルミニウム及び窒化ガリウムの混晶で構成された基材と、からなる群から選択されるいずれかであり、
前記透明酸化物層は、ＳｎＯ↓２を主成分とし、Ｔａ元素を含む金属酸化物からなり、
前記金属酸化物のＴａ元素の量は、前記金属酸化物のＳｎ元素及びＴａ元素の和に対して０．８原子％以上７．０原子％以下である、深紫外光透過型透明電極付き基材。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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