窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置
- 開放特許情報番号
- L2026000295
- 開放特許情報登録日
- 2026/2/26
- 最新更新日
- 2026/2/26
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-536448 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/9/10 |
| 出願人 | 国立大学法人東京農工大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/3/19 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東京農工大学 |
| 発明の名称 | 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置 |
| 技術分野 | 無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置 |
| 目的 | 基板を用意する工程と、分圧が９．０×１０↑（−３）ａｔｍ以上である三ハロゲン化ガリウムガスを基板上に供給する工程と、基板上に、ＧａＮ結晶を−Ｃ軸方向に成長させる工程とを備え、ＧａＮ結晶の成長温度が１２００℃以上である窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
結晶の直径が４インチ以上、かつ、反りの曲率半径が１００ｍ以上であり、結晶の不純物濃度が１×１０↑（１７）／ｃｍ↑３以下である窒化物半導体結晶を提供する。 |
| 効果 | 口径が４インチで、曲率半径が３００ｍ以上の窒化物半導体結晶を得ることができる。さらには、曲率半径が１０００ｍ以上の窒化物半導体結晶を得ることもできる。 |
技術概要) |
基板を用意する工程と、
分圧が９．０×１０↑（−３）ａｔｍ以上である三ハロゲン化ガリウムガスを前記基板上に供給する工程と、 アンモニアガスを前記基板上に供給する工程と、 前記基板上に、ＧａＮ結晶を−Ｃ軸方向に成長させる工程と を備え、 前記ＧａＮ結晶の成長温度が１２００℃以上である窒化物半導体結晶の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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