磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置

基本情報

出願番号	特願2024-570412
出願日	2024/1/15
出願人	国立大学法人　東京大学
公開番号	WO2024/150833
公開日	2024/7/18
発明の名称	磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
目的	反強磁性体の自由層に対して硬い磁気秩序のピンド層を確立することができる磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置を提供する。
効果	ピンド層の磁気秩序を固定するピニング層を設けることで、磁気秩序が反転可能な反強磁性体の自由層に対して硬い磁気秩序のピンド層を確立することができる。
技術概要	反強磁性体からなる自由層と、前記自由層に積層される非磁性層と、前記非磁性層に積層されて、反強磁性体からなるピンド層と、前記ピンド層に積層されて、前記ピンド層より磁気的に硬い磁性体からなるピニング層と、を備える、磁気抵抗効果素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京大学