回路素子およびその製造方法

基本情報

出願番号	特願2024-570199
出願日	2024/1/10
出願人	国立大学法人　東京大学
公開番号	WO2024/150768
公開日	2024/7/18
発明の名称	回路素子およびその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	回路素子およびその製造方法
目的	簡便に超伝導回路を実現するための技術を提供する。
効果	簡便に超伝導回路を実現するための技術を提供できる。
技術概要	α－Ｓｎを含む薄膜を準備する準備工程と、前記薄膜に含まれるα－Ｓｎの一部をβ－Ｓｎに相転移させることによって、前記薄膜の面内方向にα－Ｓｎと接合されたβ－Ｓｎを生成する生成工程と、を含み、前記薄膜に含まれるα－Ｓｎと前記生成工程において生成されたβ－Ｓｎとが回路素子を構成する、回路素子の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京大学