半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体

基本情報

出願番号	特願2024-563008
出願日	2023/12/8
出願人	国立大学法人　東京大学
公開番号	WO2024/122643
公開日	2024/6/13
発明の名称	半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品	半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体
目的	放熱性をより向上することができる半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体を提供する。
効果	放熱性が向上した半導体装置が得られる。効率的に放熱膜を形成することができる。熱が配線層絶縁膜に伝わり放熱性をより向上することができる。
技術概要	シリコン層を有する半導体基板と、前記半導体基板を厚み方向に貫通したまたは有底の穴の前記シリコン層における内壁面に設けられた膜材料がＡｌＮまたはＢＮで形成されている絶縁膜と、前記シリコン層との間に前記絶縁膜を挟んで前記穴内に設けられた熱伝導材からなる熱伝導体とを備える半導体チップを有することを特徴とする半導体装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京大学