磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

基本情報

出願番号	特願2024-554499
出願日	2023/10/30
出願人	国立大学法人　東京大学
公開番号	WO2024/095960
公開日	2024/5/10
発明の名称	磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品	磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置
目的	フェリ磁性体を用いることにより、外部磁場の擾乱耐性を高め、高速処理を実現する磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置を提供する。
効果	異常ホール効果及び異常ネルンスト効果を発現するトポロジカルフェリ磁性体を磁気メモリ素子に用いることにより、外部磁場の擾乱耐性を高め、高速処理を実現することが可能となる。
技術概要	磁気秩序が反転可能な自由層と、磁気秩序が固定された固定層と、前記自由層と前記固定層との間に設けられた非磁性層と、を有する磁気抵抗素子を備え、前記自由層及び前記固定層の少なくとも一方が、異常ホール効果及び異常ネルンスト効果を発現するトポロジカルフェリ磁性体からなる、磁気メモリ素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京大学