光素子の設計方法、光素子の製造方法及び光素子の設計プログラム

開放特許情報番号
L2026000259
開放特許情報登録日
2026/2/3
最新更新日
2026/2/3

基本情報

出願番号 特願2024-542814
出願日 2023/8/21
出願人 国立大学法人 東京大学
公開番号 WO2024/043215
公開日 2024/2/29
発明の名称 光素子の設計方法、光素子の製造方法及び光素子の設計プログラム
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 光素子の設計方法、光素子の製造方法及び光素子の設計プログラム
目的 最適化プロセスがシンプルで特性が優れた光素子を設計できる光素子の設計方法、光素子の製造方法及び光素子の設計プログラムを提供する。
効果 最適化プロセスがシンプルで特性が優れた光素子に最適化できる。
技術概要
クラッド層とコア層で構成される光導波路を有する光素子の設計方法であって、
前記光導波路の平面形状の外周縁の少なくとも一部の第1の外周縁を特定する複数の制御点の位置座標を最適化対象パラメータに選択し、
コンピュータに、前記最適化対象パラメータのパラメータ空間内における多変量正規分布を適応的に変化させて、前記最適化対象パラメータの最適解に近い解を探索する共分散行列適応進化戦略による最適化処理を実行させ、
前記パラメータ空間には、前記最適化対象パラメータの値を成分とするベクトルに対応付けられた前記光導波路の個体が複数含まれ、
前記最適化処理は、
前記共分散行列適応進化戦略の第g世代における前記多変量正規分布からサンプリングされた所定数の個体から、前記サンプリングされた所定数の個体の評価値の良さに基づいて選択された複数のエリート個体に応じて、第g+1世代における前記多変量正規分布に進化させる処理を、繰り返し実行し、
予め定めた第N世代における前記多変量正規分布内の個体、又は予め定めた評価値以上の個体を前記最適解に近い解として抽出する、光素子の設計方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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