素子、素子の製造方法、及びフォトニックスピンレジスタ

基本情報

出願番号	特願2024-541580
出願日	2023/8/17
出願人	国立大学法人　東京大学
公開番号	WO2024/038897
公開日	2024/2/22
発明の名称	素子、素子の製造方法、及びフォトニックスピンレジスタ
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	素子、素子の製造方法、及びフォトニックスピンレジスタ
目的	高速で動作するか、又は寄生容量が低い素子等を提供する。
効果	動作速度が速く、寄生容量が低い素子を実現し得る。
技術概要	絶縁層上に配置され、一方向に延在する、ＩＩＩ－Ｖ族半導体からなる半導体部と、前記絶縁層上に、前記半導体部を挟むように、前記一方向に直交する方向に沿って延在し、金属又は合金からなる、１対の金属含有部と、を備える、素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京大学