酸化チタン粒子、その製造方法、磁気メモリ及び電荷蓄積型メモリ
- 開放特許情報番号
- L2026000208
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/29
- 最新更新日
- 2026/1/29
基本情報
| 出願番号 | 特願2010-541303 |
|---|---|
| 出願日 | 2009/11/26 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2010/6/10 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 酸化チタン粒子、その製造方法、磁気メモリ及び電荷蓄積型メモリ |
| 技術分野 | 化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造、その他 |
| 適用製品 | 酸化チタン粒子、その製造方法、磁気メモリ及び電荷蓄積型メモリ |
| 目的 | 従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン粒子及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ及び電荷蓄積型メモリを提供する。 |
| 効果 | 従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン粒子
また、酸化チタン粒子を磁性材料として用いた磁気メモリ また、酸化チタン粒子を電荷蓄積材料として用いた電荷蓄積型メモリを提供できる。 |
技術概要) |
Ｔｉ↓３Ｏ↓５の組成を有し、０〜８００Ｋの温度領域で常磁性金属の状態を維持するナノサイズのＴｉ↓３Ｏ↓５粒子からなる
ことを特徴とする酸化チタン粒子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|