微小構造体、その製造方法、磁気メモリ、電荷蓄積型メモリ及び光情報記録媒体
- 開放特許情報番号
- L2026000207
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/29
- 最新更新日
- 2026/1/29
基本情報
| 出願番号 | 特願2010-543946 |
|---|---|
| 出願日 | 2009/7/13 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2010/7/1 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 微小構造体、その製造方法、磁気メモリ、電荷蓄積型メモリ及び光情報記録媒体 |
| 技術分野 | 化学・薬品、電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 微小構造体、その製造方法、磁気メモリ、電荷蓄積型メモリ及び光情報記録媒体 |
| 目的 | 従来にない新規な物性を発現し得る微小構造体及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ、電荷蓄積型メモリ及び光情報記録媒体を提供する。 |
| 効果 | 従来にない新規な物性を発現し得る微小構造体
、微小構造体を磁性材料として用いた磁気メモリ 、微小構造体を電荷蓄積材料として用いた電荷蓄積型メモリ 、微小構造体を記録層として用いた光情報記録媒体を提供できる。 |
技術概要) |
Ｔｉ↓３Ｏ↓５の組成を有し、４６０Ｋ以下になっても非磁性半導体の特性を有するβ相には相転移せずに、０〜８００Ｋの全ての温度領域で常磁性金属状態を維持する結晶構造からなる複数の酸化チタン粒子から構成され、前記複数の酸化チタン粒子が結合することにより粒子形状に形成されている
ことを特徴とする微小構造体。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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