| 出願番号 |
特願2017-530866 |
| 出願日 |
2016/7/25 |
| 出願人 |
国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 |
WO2017/018391 |
| 公開日 |
2017/2/2 |
| 登録番号 |
特許第6888783号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 |
メモリ素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 |
メモリ素子 |
| 目的 |
漏れ磁場が小さく、高集積化に有利なメモリ素子を提供する。 |
| 効果 |
磁化方向が反転可能な反強磁性体を用いて、データに応じて磁化方向が反転される磁化自由層を形成したことにより、磁化自由層に強磁性体を用いたメモリ素子よりも漏れ磁場を格段的に抑制でき、高集積化した際に、隣接する他のメモリ素子に与える漏れ磁場による影響を低減でき、かくして、漏れ磁場が小さく、高集積化に有利なメモリ素子を得ることができる。 |
技術概要
 |
異常ホール効果を発現し、かつ磁化方向が反転可能な反強磁性体により形成された磁化自由層と、
書き込むデータに応じて前記磁化自由層の磁化方向を反転させる磁化反転部と、
データを読み出す際に、前記磁化自由層の磁化方向に応じた電気信号を取り出す読出部と、
を備えていることを特徴とするメモリ素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)