ＭＯＳ型光変調器及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2026000143
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/22
- 最新更新日
- 2026/1/22
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-160229 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/8/17 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/2/22 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | ＭＯＳ型光変調器及びその製造方法 |
| 技術分野 | 情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 | ＭＯＳ型光変調器及びその製造方法 |
| 目的 | 変調効率が高いＭＯＳ型光変調器及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 | ゲート層に用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体における電子の有効質量が小さいので、駆動電圧を印加したときの屈折率変化の大きさが大きくなるため変調効率を高くすることができる。
また、ゲート層としてのＩＩＩ−Ｖ族半導体をＳｉ層上に積層した構造を容易に得ることができる。 |
技術概要) |
光導波路を構成するｐ型のＳｉ層と、
前記光導波路上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられたｎ型のＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるゲート層と、 前記Ｓｉ層と前記ゲート層との間に駆動電圧を印加して、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート層との界面に電子を蓄積する、前記ゲート層に接続された第１コンタクト部及び前記Ｓｉ層に接続された第２コンタクト部と を備えることを特徴とするＭＯＳ型光変調器。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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