面直通電型巨大磁気抵抗素子及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2026000131
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/20
- 最新更新日
- 2026/1/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2023-510698 |
|---|---|
| 出願日 | 2022/3/1 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2022/10/6 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 面直通電型巨大磁気抵抗素子及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 面直通電型巨大磁気抵抗素子及びその製造方法 |
| 目的 | 高いスピン偏極率（β）と層同士の界面のスピン非対称性（γ）を利用可能で、かつ膜厚設計も容易な積層構造を有する面直通電型巨大磁気抵抗素子の探索。 |
| 効果 | 強磁性／ホイスラー合金／非磁性／ホイスラー合金／強磁性積層構造において、ホイスラー合金層の高いスピン偏極率（β）と強磁性層／ホイスラー合金層界面の高いスピン非対称性（γ）により、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子のＭＲ比とΔＲＡを向上させることができる。 |
技術概要) |
シリコン基板よりなる基板と、
前記基板に積層された下地層と、 前記下地層に積層された第１の非磁性層と、 下部強磁性層、下部ホイスラー合金層、第２の非磁性層、上部ホイスラー合金層、及び上部強磁性層を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層と、 を備える、面直通電型巨大磁気抵抗素子であって、 前記シリコン基板はＳｉ（００１）単結晶基板であり、 前記下地層は、Ｃｒ、Ｆｅ又はＣｏＦｅからなる群から選ばれた少なくとも一種からなる、面直通電型巨大磁気抵抗素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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