化合物半導体組成物、それを用いる薄膜、太陽電池、熱電材料、及びその製法
- 開放特許情報番号
- L2026000123
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/20
- 最新更新日
- 2026/1/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2023-534761 |
|---|---|
| 出願日 | 2022/7/7 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2023/1/19 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 化合物半導体組成物、それを用いる薄膜、太陽電池、熱電材料、及びその製法 |
| 技術分野 | 電気・電子、化学・薬品、無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造、その他 |
| 適用製品 | 化合物半導体組成物、薄膜、太陽電池、熱電材料、及び製法 |
| 目的 | Ｓｎ原子とＳ原子の２原子からなるＳｎＳ化合物と、前記ＳｎＳ化合物にドープされている１種又は２種以上の原子とを含んでなる新規のＳｎＳ系化合物半導体組成物を提供する。
ホモ接合が可能な、既存のｎ型のＳｎＳ系化合物半導体組成物とは異なる新規のｎ型のＳｎＳ系化合物半導体組成物を提供する。 新規のＳｎＳ系化合物半導体組成物を含む薄膜、薄膜太陽電池、多接合型太陽電池用トップセル、多接合型太陽電池用ミドルセル、又は多接合型太陽電池を提供する。 化合物半導体組成物の圧粉体又はこの圧粉体を含む熱電材料を提供する。 |
| 効果 | Ｓｎ原子とＳ原子からなり、直方晶系の結晶構造を有するＳｎＳ化合物と、前記ＳｎＳ化合物にドープされている１種又は２種以上の原子と、を含み、前記のドープされている原子の少なくとも１種が、Ｓｎ↑(２＋)のイオン半径よりも大きなイオン半径を有する２価の陽イオンとなる原子である、化合物半導体組成物を提供することができるので、既存のＳｎＳ系化合物半導体組成物とは異なる新規のＳｎＳ系化合物半導体組成物が提供できる。 |
技術概要) |
ＳｎＳ化合物に１種又は２種以上の原子がドープされた直方晶系の結晶構造を有する化合物半導体組成物であって、
前記のドープされている原子の少なくとも１種が、Ｓｎ↑（２＋）のイオン半径よりも大きなイオン半径を有する２価の陽イオンとなる原子であり、 前記化合物半導体組成物のバンドギャップが、前記原子をドープする前の前記ＳｎＳ化合物のバンドギャップよりも大きい、 化合物半導体組成物。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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