酸化膜の膜質評価方法

開放特許情報番号：L2026000118 開放特許情報登録日：2026/1/20 最新更新日：2026/1/20

基本情報

出願番号

公開番号

出願日

2022/9/7

公開日

2024/3/19

出願人

国立研究開発法人物質・材料研究機構

権利化状況

権利化前

発明の名称

酸化膜の膜質評価方法

開放特許情報

技術分野

電気・電子

機能

その他

適用製品

酸化膜の膜質評価方法

目的

実デバイスでの適用条件と同じ条件で堆積形成された酸化膜の酸素欠損も評価、測定できる方法を提供する。

効果

実デバイスでの適用条件と同じ条件で堆積形成された酸化膜の酸素欠損も評価、測定できる方法が提供される。

技術概要

導電体層、半導体層、被測定酸化膜、および水素触媒金属または水素触媒合金からなる導電膜が順次積層された試料を準備することと、
水素雰囲気下で、前記導電体層と、前記導電体膜間の電気容量を測定することを有する、酸化膜の膜質評価方法。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

否

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報