目的
従来のトレンチやフィン構造を有するβーＧａ↓２Ｏ↓３半導体装置の問題を解決して、加工ダメージが少なく、結晶表面や接合界面での界面準位の発生が抑制されて良好なデバイス特性が得られ、微細加工に適したβーＧａ２Ｏ３半導体を用いた半導体装置、特にβーＧａ↓２Ｏ↓３半導体の特性を活かしたパワーデバイスおよびその製造方法を提供する。
効果
加工ダメージが少なく、結晶表面や接合界面での界面準位の発生が抑制されて良好なデバイス特性が得られ、微細加工に適したβーＧａ↓２Ｏ↓３半導体を用いたトレンチあるいはフィン構造を有する半導体装置、特にβーＧａ↓２Ｏ↓３半導体の特性を活かしたパワーデバイスおよびその製造方法が提供される。
技術概要
溝を有する半導体層を備え、
前記半導体層はβ−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶からなり、
前記半導体層の第１主表面の結晶の面方位は（００１）であり、
前記溝の長手方向は、前記第１主表面の面方位と（１００）面の交線に平行な方向であり、
前記溝の長手方向の側壁は、（１００）ファセット面であり、
前記溝の底部は、前記溝の幅が０μｍを超えて２．０μｍ以下の場所では（−１０１）の面方位を有する、半導体装置。
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