適用製品
磁性積層膜、磁気メモリ素子、及び磁気メモリ
目的
スピン軌道トルク書き込み型ＭＲＡＭ（ＳＯＴ−ＭＲＡＭ）に用いて好適な、磁性積層膜を提供する。
磁性積層膜を用いた磁気メモリ素子、及び磁気メモリを提供する。
効果
ＲｕとＣｕが合金化した薄膜によって大きくスピン流生成効率が向上するため、スピン軌道トルク書き込み型ＭＲＡＭ（ＳＯＴ−ＭＲＡＭ）向けの基本構造の磁気デバイス構造に用いて好適である。
ＲｕとＣｕが合金化した薄膜によって大きくスピン流生成効率が向上した磁性積層膜を用いているので、高性能のスピン軌道トルク書き込み型ＭＲＡＭ（ＳＯＴ−ＭＲＡＭ）が提供できる。
技術概要
磁気メモリ素子用の磁性積層膜であって、
磁気反転のためのスピン流を生成するチャンネル層と、
前記チャンネル層と隣接し、反転可能な磁化を有する強磁性層を含有する第１強磁性層と、
を備え、
前記チャンネル層はＲｕ↓(１−ｘ)Ｃｕ↓ｘ（０．１０≦ｘ≦０．９０）よりなり、
前記チャンネル層の膜厚は２ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である、
ことを特徴とする磁性積層膜。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
