磁性積層膜、磁気メモリ素子、及び磁気メモリ
- 開放特許情報番号
- L2026000076
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/14
- 最新更新日
- 2026/1/14
基本情報
| 出願番号 | 特願2022-205064 |
|---|---|
| 出願日 | 2022/12/22 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2024/7/4 |
| 発明の名称 | 磁性積層膜、磁気メモリ素子、及び磁気メモリ |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 磁性積層膜、磁気メモリ素子、及び磁気メモリ |
| 目的 | スピン軌道トルク書き込み型ＭＲＡＭ（ＳＯＴ−ＭＲＡＭ）に用いて好適な、磁性積層膜を提供する。
磁性積層膜を用いた磁気メモリ素子、及び磁気メモリを提供する。 |
| 効果 | ＲｕとＣｕが合金化した薄膜によって大きくスピン流生成効率が向上するため、スピン軌道トルク書き込み型ＭＲＡＭ（ＳＯＴ−ＭＲＡＭ）向けの基本構造の磁気デバイス構造に用いて好適である。
ＲｕとＣｕが合金化した薄膜によって大きくスピン流生成効率が向上した磁性積層膜を用いているので、高性能のスピン軌道トルク書き込み型ＭＲＡＭ（ＳＯＴ−ＭＲＡＭ）が提供できる。 |
技術概要) |
磁気メモリ素子用の磁性積層膜であって、
磁気反転のためのスピン流を生成するチャンネル層と、 前記チャンネル層と隣接し、反転可能な磁化を有する強磁性層を含有する第１強磁性層と、 を備え、 前記チャンネル層はＲｕ↓(１−ｘ)Ｃｕ↓ｘ（０．１０≦ｘ≦０．９０）よりなり、 前記チャンネル層の膜厚は２ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である、 ことを特徴とする磁性積層膜。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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