単層カーボンナノチューブ及び該単層カーボンナノチューブに積層された層を有する構造体、及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2026000063
- 開放特許情報登録日
- 2026/1/14
- 最新更新日
- 2026/1/14
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-505113 |
|---|---|
| 出願日 | 2019/3/7 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2019/9/12 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 単層カーボンナノチューブ及び該単層カーボンナノチューブに積層された層を有する構造体、及びその製造方法 |
| 技術分野 | 化学・薬品、無機材料、機械・加工 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 単層カーボンナノチューブ及び該第１の単層カーボンナノチューブに積層された層を有する構造体、及びその製造方法 |
| 目的 | 単層ＣＮＴの表面を適切な物質で保護することにより、周囲環境に影響されやすい単層ＣＮＴの特性を安定化させるか、及び／又は単層ＣＮＴに別の特性を付加させた積層構造体を提供する。
また、上記構造体の製造方法を提供する。 さらに、上記構造体を有する材料を提供する。 |
| 効果 | 単層ＣＮＴの表面を適切な物質で保護することにより、周囲環境に影響されやすい単層ＣＮＴの特性を安定化させるか、及び／又は単層ＣＮＴに別の特性を付加させた積層構造体を提供することができる。
また、上記構造体の製造方法を提供することができる。 さらに、上記構造体を有する材料を提供することができる。 |
技術概要) |
長さが５０ｎｍ以上である第１の単層カーボンナノチューブ及び該第１の単層カーボンナノチューブに積層された第２の層を有する構造体であって、該第２の層が、第１の窒化ホウ素、第１の遷移金属ダイカルコゲナイド、第１の黒リン、第１のシリコンからなる群Ａから選ばれる少なくとも１種から成る、上記構造体。 |
| 実施実績 | 【試作】 |
| 許諾実績 | 【有】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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