MEMS素子、MEMS素子の製造方法、およびMEMS素子の剛性を制御する方法

開放特許情報番号
L2025001792
開放特許情報登録日
2026/1/6
最新更新日
2026/1/6

基本情報

出願番号 特願2023-098230
出願日 2023/6/15
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2024-179404
公開日 2024/12/26
発明の名称 MEMS素子、MEMS素子の製造方法、およびMEMS素子の剛性を制御する方法
技術分野 機械・加工、金属材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 MEMS素子、MEMS素子の製造方法、MEMS素子の剛性を制御する方法
目的 高い圧縮強度を有し、かつ、薄膜状態において初期応力を制御可能な材料を用いてMEMS素子の剛性を制御する方法、並びに、そのようにして剛性が制御されたMEMS素子およびその製造方法を提供する。
効果 高い圧縮強度を有し、かつ、薄膜状態において初期応力を制御可能な材料を用いてMEMS素子の剛性を制御する方法、並びに、そのようにして剛性が制御されたMEMS素子およびその製造方法が提供される。
技術概要
少なくとも1種類の遷移金属M1を含有する窒化物または炭窒化物からなる第1の薄膜と、少なくとも1種類の遷移金属M2を含有する窒化物または炭窒化物からなる第2の薄膜と、これらに挟まれたサスペンデッド構造体とを備え、前記第1の薄膜を構成する窒化物または炭窒化物の組成と前記第2の薄膜を構成する窒化物または炭窒化物の組成は同じであるかまたは異なることを特徴とするMEMS素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2026 INPIT