| 出願番号 |
特願2020-572355 |
| 出願日 |
2020/2/14 |
| 出願人 |
国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 |
WO2020/166722 |
| 公開日 |
2020/8/20 |
| 登録番号 |
特許第7272677号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 |
スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 |
| 目的 |
交換バイアスを用いることなくゼロ磁場で、スピン軌道トルクによる垂直磁化反転が可能なスピントロニクス素子及び磁気メモリ装置を提供する。 |
| 効果 |
キャントした反強磁性体からなる反強磁性層において、電子のスピンが面直方向に平行に又は斜めにスピン偏極したスピン蓄積が生成されることで、交換バイアスを用いることなくゼロ磁場で、反強磁性層に積層された強磁性体における垂直磁化を反転させることができる。 |
技術概要
 |
磁気モーメントがキャントして微小な磁化を有するキャントした反強磁性体からなり、面内に平行な一方向に電流が流れると、電子のスピンが面直方向に平行に又は斜めに偏極したスピン蓄積を生成する反強磁性層と、
前記反強磁性層に積層され、積層方向である前記面直方向の垂直磁化を有する強磁性体を含み、前記反強磁性層において生成されたスピン流によって前記垂直磁化にスピン軌道トルクが働くことで、前記垂直磁化が反転可能な磁気抵抗素子と、
を備えるスピントロニクス素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)