半導体デバイスおよびその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2025001740
- 開放特許情報登録日
- 2025/12/25
- 最新更新日
- 2025/12/25
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-556194 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/11/13 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/5/20 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 半導体デバイス |
| 目的 | ｐ型領域を備えるＳＴＯ半導体デバイスの提供。 |
| 効果 | ＳＴＯ半導体デバイス上にｐ型領域を形成できる。 |
技術概要) |
ＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ↓３）基板と、
前記ＳＴＯ基板上に形成され、所定のしきい値より小さい厚みを有する第１金属酸化膜と、 前記ＳＴＯ基板と前記第１金属酸化膜の界面に形成されるｐ型領域と、 を備えることを特徴とするＳＴＯ半導体デバイス。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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