半導体装置の製造方法及び半導体装置
- 開放特許情報番号
- L2025001722
- 開放特許情報登録日
- 2025/12/23
- 最新更新日
- 2025/12/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2018-242366 | ||
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| 出願日 | 2018/12/26 | ||
| 出願人 | 株式会社日進製作所グループ、公立大学法人大阪 | ||
| 公開番号 | |||
| 公開日 | 2020/7/9 | ||
| 登録番号 | |||
| 特許権者 | 株式会社日進製作所グループ、公立大学法人大阪 | ||
| 発明の名称 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | ||
| 技術分野 | 電気・電子、無機材料 | ||
| 機能 | 機械・部品の製造 | ||
| 適用製品 | 炭化シリコンを基板に用いたＭＯＳＦＥＴ | ||
| 目的 | 炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。 | ||
| 効果 | 炭化シリコン基板及び二酸化ケイ素膜の界面において、電気特性を劣化させる原因となる不純物準位の形成を抑制することができる。したがって、本製造方法によれば、炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置を得ることができる。 | ||
| 技術概要 |
炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置の製造方法 | ||
| 実施実績 | 【無】 | ||
| 許諾実績 | 【無】 | ||
| 特許権譲渡 | 【可】 | ||
| 特許権実施許諾 | 【可】
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アピール情報
| 導入メリット | 【 】
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
| アピール内容 | 従来の熱酸化法の問題を解決し、炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置を製造できる。
応用分野としては、ダンパー用作動流体、変位センサー素子材料、発電素子材料が考えられる。 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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技術供与
| ノウハウ提供レベル |
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その他の情報
| 関連特許 |
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