磁場発生装置
- 開放特許情報番号
- L2025001689
- 開放特許情報登録日
- 2025/12/18
- 最新更新日
- 2025/12/18
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-185391 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/11/5 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2022/1/4 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 磁場発生装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 磁場発生装置 |
| 目的 | 比較的安価に作製でき、比較的長い時間、比較的強い磁場を発生させることができる磁場発生装置を提供する。
また、磁場プロファイルを制御可能な磁場発生装置を提供する。 |
| 効果 | 比較的安価に作製でき、比較的強い磁場を発生させることができる。 |
技術概要) |
電気二重層コンデンサと、
前記電気二重層コンデンサに電荷を供給して蓄積させる充電器と、 電磁石と、 前記電気二重層コンデンサと電磁石との間に介在する第１のスイッチ回路と、 を有し、 前記第１のスイッチ回路がオフである状態で前記充電器により前記電気二重層コンデンサに電荷を蓄積させ、前記電気二重層コンデンサに電荷が蓄積された状態で前記第１のスイッチ回路をオンとして前記電気二重層コンデンサの放電電流を前記電磁石に供給して、時間とともに減衰する磁場であって、少なくとも１秒以内に２Ｔを超える磁場を生じさせることを可能とした磁場発生装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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