半導体レーザ素子、およびエピタキシャル基板
- 開放特許情報番号
- L2025001669
- 開放特許情報登録日
- 2025/12/16
- 最新更新日
- 2025/12/16
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-193275 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/11/20 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2022/6/1 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 半導体レーザ素子、およびエピタキシャル基板 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 半導体レーザ素子、およびエピタキシャル基板 |
| 目的 | 多重量子井戸構造による利得向上効果を有効に引き出すことができる技術を提供する。 |
| 効果 | 多重量子井戸構造による利得向上効果を有効に引き出すことができる技術が提供される。 |
技術概要) |
ｎ型およびｐ型の一方の導電型を有する第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に配置された活性層と、 前記活性層の上方に配置され、ｎ型およびｐ型の他方の導電型を有する第２クラッド層と、 を有し、 前記活性層は、量子井戸層と障壁層とが交互に複数積層された多重量子井戸構造を有し、 複数の前記量子井戸層の各々は、ＩｎＧａＡｓ層で形成され、 複数の前記障壁層のうち、少なくとも１つの前記障壁層は、１つまたは複数のＧａＡｓＰ層と、１つまたは複数のＧａＡｓ層と、を含む積層構造で形成され、 前記活性層は、５層以上の前記量子井戸層を有し、 複数の前記障壁層の全体における、前記ＧａＡｓＰ層の全厚さに対する前記ＧａＡｓ層の全厚さの比率が、０．３以上４以下であり、 端面発光レーザである、半導体レーザ素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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