半導体装置及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2025001664
- 開放特許情報登録日
- 2025/12/16
- 最新更新日
- 2025/12/16
基本情報
| 出願番号 | 特願2022-503677 |
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| 出願日 | 2021/2/25 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/9/2 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| 目的 | 従来の方法よりも簡便に製造される薄膜トランジスタを含む半導体装置を提供する。 |
| 効果 | 従来の親撥パターンを利用する方法及びバンクを利用する方法といった煩雑な工程を経ずに有機半導体膜を有する薄膜トランジスタを提供することが可能である。 |
技術概要) |
第１導電膜と、
第１導電膜上の絶縁膜と、 絶縁膜上の第２導電膜及び第３導電膜と、 絶縁膜、第２導電膜及び第３導電膜上の有機半導体膜とを含み、 第２導電膜は、第１方向に沿って延在する部分を含み、 第３導電膜は、 第２導電膜から見て、第１方向に位置する第１部分と、 第２導電膜と第１部分の間の領域から見て、第１方向と直交する第２方向に位置する第２部分及び第２方向の反対方向である第３方向に位置する第３部分と、 第２部分から見て、第１方向の反対方向である第４方向に位置する第４部分と、 第３部分から見て、第４方向に位置する第５部分とを含み、 第１部分、第２部分の少なくとも一部及び第３部分の少なくとも一部は、連続して延在し、 絶縁膜の表面自由エネルギーは、第２導電膜の表面自由エネルギー及び第３導電膜の表面自由エネルギーよりも小さく、 第２導電膜と略平行に延在する部分を含み、且つ、該部分が第４部分と第５部分の間に位置する、絶縁膜上の第４導電膜をさらに含み、 第１導電膜は、ゲートとして機能し、 第２導電膜は、ソース及びドレインの一方として機能し、 第４導電膜は、ソース及びドレインの他方として機能する、 半導体装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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