| 出願番号 |
特願2023-514659 |
| 出願日 |
2022/4/12 |
| 出願人 |
国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 |
WO2022/220251 |
| 公開日 |
2022/10/20 |
| 登録番号 |
特許第7710752号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 東京大学 |
| 発明の名称 |
磁気メモリ素子及びその作製方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
磁気メモリ素子 |
| 目的 |
反強磁性体を用いた磁気メモリ素子において読み出し信号を増強させる。 |
| 効果 |
反強磁性層と接触層との界面のラフネスを１．０ｎｍ以下とすることにより、界面が平滑化され、接触層から界面を介して反強磁性層に注入されるスピン流を増大させるとともに、反強磁性層の磁気特性を最適に保つことができるため、磁気メモリ素子の読み出し信号を増強させることが可能となる。 |
技術概要
 |
磁気モーメントがキャントした磁気秩序を有するキャントした反強磁性体からなる反強磁性層と、
前記反強磁性層に接触し、前記キャントした反強磁性体とは異なる物質からなる接触層と、を備え、
前記反強磁性層と前記接触層との界面のラフネスは１．０ｎｍ以下であり、
前記接触層にスピン流が流れると、前記スピン流によって生じるトルクが前記反強磁性層の前記磁気秩序に働き、前記磁気秩序が反転可能である、磁気メモリ素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)