半導体デバイス、水溶中のイオン濃度若しくは酸化還元性を有する物質濃度または電位の測定方法、及びトランジスタの校正曲線を得る方法

基本情報

出願番号	特願2022-134313
出願日	2022/8/25
出願人	国立大学法人　東京大学
公開番号	特開2023-033231
公開日	2023/3/9
発明の名称	半導体デバイス、水溶中のイオン濃度若しくは酸化還元性を有する物質濃度または電位の測定方法、及びトランジスタの校正曲線を得る方法
技術分野	情報・通信
機能	材料・素材の製造、検査・検出、その他
適用製品	半導体デバイス、物質濃度または電位の測定方法、及びトランジスタの校正曲線を得る方法
目的	水中で安定な酸化還元電位を示す半導体膜を備えた半導体デバイスが求められている。
効果	水中で安定な酸化還元電位を示す半導体膜を備えた半導体デバイスを提供することができる。
技術概要	基板、前記基板上のソース／ドレイン電極、及び前記ソース／ドレイン電極に接する半導体膜を含み、前記半導体膜が、イオン、酸化還元性物質、またはそれらの組合せの物質を含む水溶液と接触可能に構成されており、前記半導体膜は、前記半導体膜の表面に、前記半導体膜の半導体特性を示す部位と共有結合された５ｎｍ以下の厚みの絶縁性の保護層を有する半導体デバイス。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京大学