サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置。
- 開放特許情報番号
- L2025001494
- 開放特許情報登録日
- 2025/11/28
- 最新更新日
- 2025/11/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2023-031174 |
|---|---|
| 出願日 | 2023/3/1 |
| 出願人 | 国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2024/9/12 |
| 発明の名称 | サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置。 |
| 技術分野 | 無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理 |
| 適用製品 | サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置 |
| 目的 | サファイア基板の表面を処理する方法を提供する。 |
| 効果 | サファイア基板の表面を処理する方法が提供される。
サファイア基板に支持されたエピタキシャル薄膜（エピタキシャル薄膜を有するサファイア基板）が提供される。サファイア基板が取り外されたエピタキシャル薄膜が提供される。処理されたサファイア基板及び／又はエピタキシャル薄膜を備えるデバイス、装置又は中間製品が提供される。 |
技術概要) |
サファイア基板の表面を処理する方法であって、
サファイア基板を提供すること；及び 前記サファイア基板に対して、水蒸気を含む雰囲気で、熱処理を行うこと； を備える方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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