| 出願番号 |
特願2023-110995 |
| 出願日 |
2023/7/5 |
| 出願人 |
国立大学法人 東京大学 |
| 公開番号 |
特開2025-008652 |
| 公開日 |
2025/1/20 |
| 発明の名称 |
再生位相シフトファイバブラッググレーティング、その製造中間体及び製造方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 |
再生位相シフトファイバブラッググレーティング、その製造中間体及び製造方法 |
| 目的 |
目的とする特性を有する再生位相シフトファイバブラッググレーティング、その製造方法及び当該再生位相シフトファイバブラッググレーティングが得られる製造中間体を提供する。 |
| 効果 |
目的とする特性を有する再生位相シフトファイバブラッググレーティングを得ることができる。 |
技術概要
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目的とする再生位相シフトファイバブラッググレーティングの元となり、光ファイバのコアに周期的な屈折率変調を有し当該屈折率変調の中央部に半周期の位相シフトを持つグレーティング領域が形成されるグレーティング体について、前記再生位相シフトファイバブラッググレーティングの特性を満たす前記グレーティング領域のグレーティング長さ及び屈折率振幅を、前記再生位相シフトファイバブラッググレーティングの特性から特定する特定工程と、
光ファイバのコアの屈折率を光誘起屈折率変化によって変化させて、前記特定工程によって特定された前記グレーティング長さ及び前記屈折率振幅の前記グレーティング領域を形成することにより、前記グレーティング体を作製するグレーティング体作製工程と、
前記グレーティング体をアニールすることにより、前記グレーティング領域における屈折率変調を消失させた後に再生させて前記再生位相シフトファイバブラッググレーティングとするアニール工程と
を有することを特徴とする再生位相シフトファイバブラッググレーティングの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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