| 出願番号 |
特願2021-132056 |
| 出願日 |
2021/8/13 |
| 出願人 |
日本放送協会 |
| 公開番号 |
特開2023-026240 |
| 公開日 |
2023/2/24 |
| 登録番号 |
特許第7695148号 |
| 特許権者 |
日本放送協会 |
| 発明の名称 |
負性微分抵抗素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、その他 |
| 適用製品 |
負性微分抵抗素子 |
| 目的 |
負性微分抵抗（ＮＤＲ）を示す領域の電圧区間の幅が広く、その始端と終端の電流値の比が大きい負性微分抵抗素子を提供する。 |
| 効果 |
ＮＤＲを示す領域の電圧区間の幅が広く、その始端と終端の電流値の比が大きい負性微分抵抗素子を提供することができる。 |
技術概要
 |
一対の電極と、該一対の電極の間に位置する半導体層と、を具える負性微分抵抗素子であって、
前記半導体層が、タングステンを含むポリオキソメタレートと、平滑化剤と、を含み、
前記半導体層の厚さが、２００ｎｍ以上であり、
前記平滑化剤が、ジピラジノ［２，３−ｆ：２’，３’−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）であることを特徴とする、負性微分抵抗素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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