有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2025001386
- 開放特許情報登録日
- 2025/11/18
- 最新更新日
- 2025/11/18
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-515805 |
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| 出願日 | 2014/4/30 |
| 出願人 | 国立大学法人山形大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/11/5 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人山形大学 |
| 発明の名称 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | マルチフォトンエミッション有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| 目的 | マルチフォトンエミッション有機ＥＬ素子において、電荷発生層を含む中間層の塗布積層を簡略化することにより、すべての構成層を効率的に低コストで、かつ、素子特性を低下させることなく、塗布法で簡便に形成することができる有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 | マルチフォトンエミッション有機ＥＬ素子における電荷発生層を含む中間層を簡便に塗布積層することができるため、すべての構成層を塗布法により形成することが可能となる。
多段積層が必要なマルチフォトンエミッション有機ＥＬ素子を、塗布法で効率的に低コストで製造することが可能となり、さらに、素子の高効率化も期待される。 |
技術概要) |
１対の電極間に、少なくとも１つの発光層を有する発光ユニットが中間層を介して複数積層されたマルチフォトンエミッション有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
基板上に、陰極、中間層を介して複数積層された発光ユニット、陽極の順に積層された構成からなるインバーテッド構造を有し、 前記中間層が、陰極側の電荷発生層と、陽極側の電子注入層との塗布積層からなり、 前記電荷発生層が、導電性高分子を１層又は複数層含有しており、 前記導電性高分子が、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体及びポリアリールアミン誘導体のうちのいずれかであり、ドープされたｎ型又はｐ型半導体であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | 国立大学法人山形大学 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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