薄膜堆積方法及び薄膜堆積装置
- 開放特許情報番号
- L2025001384
- 開放特許情報登録日
- 2025/11/18
- 最新更新日
- 2025/11/18
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-005596 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/1/15 |
| 出願人 | 国立大学法人山形大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/7/21 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人山形大学 |
| 発明の名称 | 薄膜堆積方法及び薄膜堆積装置 |
| 技術分野 | 電気・電子、金属材料 |
| 機能 | 機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 | 薄膜堆積方法及び薄膜堆積装置 |
| 目的 | 薄膜堆積方法及び薄膜堆積装置に関し、特に固体基材上に金属酸化物薄膜を低
温でかつ均一の厚さで形成する。 |
| 効果 | 金属酸化膜を形成する際に、被膜の膜厚のばらつきを抑える効果をもちたらす。 |
技術概要) |
固体部材上に酸化薄膜を形成する方法であって、
反応容器内に前記固体部材を設置し、固体部材の温度を、０℃より高く、１５０℃以下に保持し、反応容器内に有機金属ガスを充満させる工程と、前記有機金属ガスを排気するかあるいは反応容器内を不活性ガスで充満させる工程と、活性度が高められた酸化ガスを導入する工程と、前記酸化ガスを排気するかあるいは反応容器内を不活性ガスで充満させる工程とからなる、一連の工程を繰り返す薄膜堆積方法において、 酸化ガス発生装置と反応容器を接続する直線状の接続管内部に突出して設けられた遮蔽板によって、接続管内部の流路を屈曲させ、 前記活性度が高められた酸化ガスを、前記接続管を介して、反応容器に導入することにより、 前記活性度が高められた酸化ガスのみを通し、活性度を高めるプラズマからの紫外光や高速イオンを反応容器に導入しないことを特徴とした薄膜堆積方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【有】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | 国立大学法人山形大学 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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