近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス
- 開放特許情報番号
- L2025001297
- 開放特許情報登録日
- 2025/11/11
- 最新更新日
- 2025/11/11
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-119231 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/6/19 |
| 出願人 | 国立大学法人山形大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2019/1/10 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人山形大学 |
| 発明の名称 | 近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス |
| 技術分野 | 化学・薬品、電気・電子、有機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 近赤外吸収スクアリリウム誘導体、及びそれを含む有機電子デバイス |
| 目的 | 高効率な有機電子デバイスを提供するために有用な新規スクアリリウム誘導体を提供すべく、ＳＱ−ＢＰに着目し、その末端置換基を改良して、吸収波長の長波長化を行うことや、エネルギー準位を変化させずに、薄膜状態での移動度を向上させ、さらにＦＦを改善してエネルギー変換効率を向上させることを課題としている。また、得られたスクアリリウム誘導体からなるドナー材料及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。 |
| 効果 | スクアリリウム誘導体を近赤外吸収材料として用いれば、可視光に吸収を持たない透明な太陽電池やセンサーを実現することができる。
また、スクアリリウム誘導体は脱水縮合により容易に合成することができ、ハロゲン系溶媒に溶解しやすく、溶液塗布法により良好な薄膜形成が可能である。 |
技術概要) |
下記一般式（１）で表されるスクアリリウム誘導体；
【化１】 【化２】 （一般式（１）中、Ａｒ↑1及びＡｒ↑4は、それぞれ独立に芳香族置換基を表し、Ａｒ↑2は一 般式（２）で表される置換基を表し、Ａｒ↑3は一般式（３）で表される置換基を表し、該一般式（１）〜（３）中、Ｒ↑1〜Ｒ↑(32)は、それぞれ独立に水素原子、脂肪族置換基又は芳香族置換基を表す。） |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
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登録者情報
| 登録者名称 | 国立大学法人山形大学 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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