| 出願番号 |
特願2019-062462 |
| 出願日 |
2019/3/28 |
| 出願人 |
国立大学法人山形大学 |
| 公開番号 |
特開2020-161442 |
| 公開日 |
2020/10/1 |
| 登録番号 |
特許第7307454号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山形大学 |
| 発明の名称 |
ペロブスカイト量子ドット発光デバイスおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工、化学・薬品 |
| 機能 |
材料・素材の製造、その他 |
| 適用製品 |
発光デバイス |
| 目的 |
長鎖アルキル配位子の少なくとも一部を、該長鎖アルキル配位子よりも炭素数の少ない短鎖架橋性配位子で置換したペロブスカイト量子ドットであって、凝集を抑え、分散安定性を向上させ、薄膜形成と同時に架橋して不溶化するペロブスカイト量子ドットを含む発光デバイスを提供する。 |
| 効果 |
ペロブスカイト量子ドット膜は、トルエン、ヘキサンおよびオクタンなどの無極性溶媒に対して不溶性を示す。よって、前記ペロブスカイト量子ドット膜上への塗布成膜が可能になり、同種材料の厚膜化や異種材料による多積層構造の形成が可能となる。 |
技術概要
 |
長鎖アルキル配位子を有するハロゲン化鉛系ペロブスカイト前駆体を含む溶液中に、両末端に反応基を有する短鎖架橋性配位子を含む溶液を添加して、前記長鎖アルキル配位子の少なくとも一部が前記短鎖架橋性配位子で置換されたペロブスカイト量子ドットを合成する工程１と、
前記ペロブスカイト量子ドットを基板上に湿式法で塗布して、ペロブスカイト量子ドット膜を形成する工程２と、
前記ペロブスカイト量子ドット膜に、トルエン、オクタンおよびヘキサンの中から選ばれる低誘電率溶媒によるリンス処理または浸漬処理を行い、長鎖アルキル配位子を脱離して、ペロブスカイト量子ドット膜を不溶化させる工程３とを有する、ペロブスカイト量子ドット発光デバイスの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)