| 出願番号 |
特願2021-002350 |
| 出願日 |
2021/1/8 |
| 出願人 |
国立大学法人山形大学 |
| 公開番号 |
特開2022-107413 |
| 公開日 |
2022/7/21 |
| 登録番号 |
特許第7556540号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山形大学 |
| 発明の名称 |
金属酸化物薄膜の製造方法および装置 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子、機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造、表面処理、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
金属酸化物薄膜の製造方法および装置 |
| 目的 |
室温原子層堆積法において、金属酸化物薄膜の成膜量の向上と膜の緻密性を向上させた金属酸化物薄膜の製造方法および金属酸化物薄膜の製造装置を提供する。 |
| 効果 |
金属酸化物薄膜を低温で、例えば、室温で、高い成膜速度で緻密な膜を成膜することができ、成膜された金属酸化物薄膜の水蒸気透過率を低減させることができる。
室温原子層堆積法において、金属酸化物薄膜、特に、酸化アルミニウムの１サイクルあたりの成長量が増大し、また成膜された金属酸化物薄膜の原子緻密度を増進し、金属酸化物薄膜の水蒸気透過率の抑制が可能になる。これによりフレキシブル電子回路の水蒸気透過による劣化を抑制することが可能になり、同電子回路の耐久性の向上に効果がある。 |
技術概要
 |
成膜対象を０℃より高く、１５０℃以下に保持し、前記成膜対象の成膜面上に、有機金属ガスを導入して、成膜面上に有機金属ガス分子を吸着させる第１の工程と、有機金属ガス分子が吸着した成膜面上にプラズマ励起加湿アルゴンを導入して、吸着した有機金属ガス分子を酸化、分解して金属酸化物とすると共にその表面にハイドロキシル基を形成する第２の工程と、その後、前記第１の工程及び前記第２の工程を繰り返すことにより、金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜の製造方法において、
前記第２の工程でプラズマ励起加湿アルゴンを導入する際に、前記成膜対象に波長が３００〜４００ｎｍの紫外線を照射する
ことを特徴とする金属酸化物薄膜の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)