| 出願番号 |
特願2023-118492 |
| 出願日 |
2023/7/20 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2025-015224 |
| 公開日 |
2025/1/30 |
| 発明の名称 |
研磨された半導体材料の製造方法および半導体装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
研磨された半導体材料の製造方法および半導体装置 |
| 目的 |
ＳｉＣ、ダイヤモンドまたはＧａＮを高い研磨レートで研磨することができ、生産性に優れた、研磨されたＳｉＣ材料、ダイヤモンド材料またはＧａＮ材料の製造方法を提供する。また、これらの材料を利用した半導体装置を提供する。 |
| 効果 |
ＳｉＣ、ダイヤモンドまたはＧａＮを高い研磨レートで研磨することができ、生産性に優れた、研磨されたＳｉＣ材料、ダイヤモンド材料またはＧａＮ材料の製造方法が提供される。また、これらの材料を利用した半導体装置が提供される。 |
技術概要
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イオンビームを照射することによって、ＳｉＣ、ダイヤモンドまたはＧａＮである半導体材料の表面または内部に形成された脆化層を、スラリー存在下で研磨して、前記脆化層を除去する研磨工程を有する、研磨された半導体材料の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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