電子基板

開放特許情報番号
L2025000767
開放特許情報登録日
2025/7/1
最新更新日
2025/7/1

基本情報

出願番号 特願2020-062267
出願日 2020/3/31
出願人 愛三工業株式会社
公開番号 特開2021-163817
公開日 2021/10/11
登録番号 特許第7475925号
特許権者 愛三工業株式会社
発明の名称 電子基板
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子基板
目的 ハーフブリッジ方式若しくはフルブリッジ方式で構成されたスイッチング回路において、回路基板の導電層でスイッチング素子間の接続を実現することにより、スイッチング素子間を接続する配線を無くして配線部の寄生容量成分(即ち、寄生LC)を抑制する。
効果 一対のスイッチング素子を直列接続する配線の寄生LCを抑制することができ、寄生LCによるノイズを抑制することができる。
技術概要
導電性を有する第1の金属層と、
正負両電極のうちの一方の電極が第1の金属層を介して互いに電気接続され、スイッチング回路の少なくとも一部を構成する一対のスイッチング素子と、
第1のスイッチング素子における正負両電極のうちの他方の電極に電気接続されて、導電性を有する第2の金属層と、
第2のスイッチング素子における正負両電極のうちの他方の電極に電気接続されて、導電性を有する第3の金属層とを備え、
第1の金属層に電気接続された第1及び第2のスイッチング素子の電極は、相互に逆極性とされ、
第2及び第3の金属層に電気接続された第1及び第2のスイッチング素子の電極は、相互に逆極性とされ、
第1及び第2のスイッチング素子は、第1の金属層を介して直列接続され、
第2及び第3の金属層は、別体に構成され、
一対のスイッチング素子の各ゲート配線は、第1の金属層の一対のスイッチング素子接続側面上で一対のスイッチング素子に挟まれる部位、並びに第2及び第3の金属層に挟まれる部位にそれぞれ設けられ、
各ゲート配線は、第1及び第2、第3の金属層、並びに一対のスイッチング素子の積層方向で互いに重なって配置されている、電子基板。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 愛三工業株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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