| 出願番号 |
特願2015-128671 |
| 出願日 |
2015/6/26 |
| 出願人 |
岩谷産業株式会社 |
| 公開番号 |
特開2017-008406 |
| 公開日 |
2017/1/12 |
| 登録番号 |
特許第6496200号 |
| 特許権者 |
岩谷産業株式会社 |
| 発明の名称 |
ニッケルのガスエッチング方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品 |
| 機能 |
表面処理 |
| 適用製品 |
本特許は、ニッケル製の部材やニッケルがコーティングされた製品、あるいは電極としてのニッケル材の高精度な加工や清浄化に幅広く適用可能です。 |
| 目的 |
本特許は、プラズマを使用せずにニッケルを均一にエッチングできる、高効率かつ低メンテナンスな方法を提供することを目的としています。 |
| 効果 |
本特許により、プラズマを使わずガス接触だけでニッケルを均一にエッチングできるため、複雑な形状の部品でも品質ばらつきや不良を削減し、製造歩留まりが大幅に向上します。チャンバー内のニッケル洗浄も手作業清掃や部品交換が不要となり、メンテナンス費用と手間を削減し装置の稼働率を最大化します。 |
技術概要
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本特許は、従来のプラズマやスパッタリングといった物理的なプロセスを一切用いず、三塩化リンガスとニッケル材の直接的な化学反応を活用したエッチング方法です。これは、イオンなどの加速粒子をニッケルに当てることで清浄化を行う先行技術とは根本的に異なり、物理的な作用に伴う限界やそれに起因する課題を克服するものです。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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