光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2025000451
- 開放特許情報登録日
- 2025/4/28
- 最新更新日
- 2025/4/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2024-541480 |
|---|---|
| 出願日 | 2023/7/31 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2024/2/22 |
| 発明の名称 | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 制御・ソフトウェア、検査・検出 |
| 適用製品 | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
| 目的 | 微弱な光信号に対し、環境負荷を低く抑えつつ、高効率、高感度である光電変換素子であって、より優れた応答性を有する光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法を提供する。 |
| 効果 | 微弱な光信号に対し、環境負荷を低く抑えつつ、高効率、高感度である光電変換素子であって、より優れた応答性を有する光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法を提供することができる。 |
技術概要) |
光電変換層として、
ペロブスカイト構造体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第一層と、 無機遷移金属を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第二層と、 有機配位子を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第三層と、 をこの順で備え、 前記第二層の前記無機遷移金属は、前記ペロブスカイト構造体に含有される中心金属と異なり、 前記第一層と前記第二層との境界面において、前記ペロブスカイト構造体と、前記第二層の前記無機遷移金属とが１対１の層配列を形成しており、 前記第二層と前記第三層との境界面において、前記第二層の前記無機遷移金属と、前記第三層の前記有機配位子と、が一緒になって有機金属錯体からなる有機金属錯体の層を形成していることを特徴とする光電変換素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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