不揮発性記憶装置

基本情報

出願番号	特願2024-526368
出願日	2023/5/25
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2023/238691
公開日	2023/12/14
発明の名称	不揮発性記憶装置
技術分野	電気・電子
機能	制御・ソフトウェア
適用製品	不揮発性記憶装置
目的	ｎ型の酸化物半導体をチャネルとして用いた複数のＡＦｅＦＥＴを有する不揮発性記憶装置において、安定したＡＦｅＦＥＴの消去動作を実現する。
効果	酸化物半導体と反強誘電体とを組み合わせ、かつ、反強誘電体の分極特性曲線のうちプラス側のヒステリシスループを選択的に用いることにより、上述の欠点を克服し、安定した消去動作を実現している。
技術概要	複数の不揮発性記憶素子を含む不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性記憶素子は、金属酸化物を含む半導体層と、前記半導体層に対向するゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた反強誘電体で構成されるゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート電極を構成する第１材料の電子親和力が、前記半導体層を構成する第２材料の電子親和力より小さく、前記第２材料がｎ型半導体である、不揮発性記憶装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構