| 出願番号 |
特願2020-182766 |
| 出願日 |
2020/10/30 |
| 出願人 |
日本放送協会 |
| 公開番号 |
特開2022-073021 |
| 公開日 |
2022/5/17 |
| 登録番号 |
特許第7574054号 |
| 特許権者 |
日本放送協会 |
| 発明の名称 |
積層型撮像素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
積層型撮像素子の製造方法 |
| 目的 |
ＴＦＴ素子を製造する際の高熱処理によっても、有機光電変換膜がダメージを受けることがなく、有機光電変換膜の機能低下や膜剥離を防止し得る積層型撮像素子の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
ＴＦＴ素子の特性を良好にするために高温処理により製造しても、その後において、光電変換部の製造を行うことが可能となるので、上記高温処理の光電変換部への影響を防止することができ、加熱による有機光電変換膜等の有機膜の特性劣化や層構造の破壊、さらには膜剥がれ等を防止することができる。 |
技術概要
 |
基板上において、格子状に区画される各画素内の周辺部の所定位置に配される信号読出しに係るＴＦＴ素子、第１絶縁膜、共通電極接続用電極および第２絶縁膜を、この順に積層して第１積層体を形成する第１膜積層処理を、該第１積層体の所定の重畳数分だけ繰り返し行う第１態様、または該第１積層体の所定の重畳数分だけ繰り返し行った後、さらに前記ＴＦＴ素子を積層する第２態様を実行する第１工程と、
前記各画素の中央部に開口部を穿設するとともに、前記各画素の境界に沿った、前記ＴＦＴ素子を含む前記周辺部である境界領域は穿設せずに残して画素分離壁とする第２工程と、
穿設された前記開口部に、前記ＴＦＴ素子と接続される画素電極、有機光電変換膜、および前記共通電極接続用電極と接続される共通電極を、この順に積層して第２積層体を形成する第２膜積層処理を、前記第１態様を行う場合には前記所定の重畳数分、前記第２態様を行う場合には前記所定の重畳数分よりも１回多く、層間絶縁膜を積層する処理を間に挟んで、繰り返し行う第３工程と、
をこの順に行うことを特徴とする積層型撮像素子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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