| 出願番号 |
特願2017-012847 |
| 出願日 |
2017/1/27 |
| 出願人 |
国立大学法人秋田大学 |
| 公開番号 |
特開2018-121008 |
| 公開日 |
2018/8/2 |
| 登録番号 |
特許第7011278号 |
| 特許権者 |
国立大学法人秋田大学 |
| 発明の名称 |
窒化物半導体の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
基板上に窒化物半導体薄膜を形成する窒化物半導体の製造方法 |
| 目的 |
窒化物半導体の製造装置およびその製造方法に関し、GaN系薄膜を非単結晶基板上に成長させる。 |
| 効果 |
分子線エピキタシー装置は、２本の活性窒素供給用のプラズマセルを備え、それらプラズマセルを同時作動させるとともに、ガリウムおよびインジウムを同時に供給する。これによって、非単結晶基板上に窒化ガリウム系半導体薄膜を形成することができ、さらに、ナノ柱状結晶を形成することができる。 |
技術概要
 |
分子線エピタキシー装置を用い非単結晶基板上に窒化物半導体の薄膜を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、
前記分子線エピタキシー装置は、前記基板に活性窒素ガスを供給する２本のプラズマセルと、ガリウムを供給するクヌーセンセルと、インジウムを供給するクヌーセンセルとを備え、
２本の前記プラズマセルを同時作動させ活性窒素ガスをチャンバー内に供給するとともに、前記ガリウムおよび前記インジウムを同時にチャンバー内に供給し、前記ガリウムおよび前記インジウムを同時にチャンバー内に供給している間の前記基板及び前記クヌーセンセルの温度を一定に保つことによって、非単結晶基板上に直接ｃ軸優先配向構造を有する独立した柱状結晶を形成することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)