| 出願番号 |
特願2020-193069 |
| 出願日 |
2020/11/20 |
| 出願人 |
日本放送協会 |
| 公開番号 |
特開2021-097221 |
| 公開日 |
2021/6/24 |
| 登録番号 |
特許第7549515号 |
| 特許権者 |
日本放送協会 |
| 発明の名称 |
導電領域の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
導電領域の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| 目的 |
電極（例えば、薄膜トランジスタのゲート電極）への物理的なダメージを避けつつ、また取り扱いに注意が必要な可燃性ガスを用いることなく、酸化物半導体膜を用いて実施することができる、導電領域の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 |
| 効果 |
電極（薄膜トランジスタのゲート電極等）への物理的なダメージを避けつつ、また取り扱いに注意が必要な可燃性ガスを用いることなく、酸化物半導体膜の低抵抗化が可能になり、高導電率の透明電極又は導電領域、低抵抗化されたソース・ドレイン領域を有する薄膜トランジスタを製造することができる。 |
技術概要
 |
酸化物半導体膜の所定の領域を水蒸気プラズマに晒す工程を含む、導電領域の形成方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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