アルミノケイ酸塩系蛍光体の製造方法、アルミノケイ酸塩系蛍光体及び発光装置
- 開放特許情報番号
- L2024002064
- 開放特許情報登録日
- 2024/11/14
- 最新更新日
- 2024/11/14
基本情報
| 出願番号 | PCT/JP2024/007506 |
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| 出願日 | 2024/2/29 |
| 出願人 | 国立大学法人山梨大学 |
| 公開番号 | WO2024/185638 |
| 公開日 | 2024/9/12 |
| 発明の名称 | アルミノケイ酸塩系蛍光体の製造方法、アルミノケイ酸塩系蛍光体及び発光装置 |
| 技術分野 | 化学・薬品 |
| 機能 | 材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 | アルミノケイ酸塩系蛍光体の製造方法、アルミノケイ酸塩系蛍光体及び発光装置 |
| 目的 | 従来よりも、希土類及び遷移金属の含有量が少ない蛍光体及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 | 従来の蛍光体に比べ遷移金属元素の含有量が少ないか、又は遷移金属元素を含まないので、人体や環境に対して害が少ない。また、従来の蛍光体に比べ希土類元素の含有量が少ないか、又は希土類元素を含まないので、環境負荷が小さく、廉価に製造可能である。 |
技術概要) |
アルミノケイ酸塩系蛍光体の製造方法であって、
第１焼成工程、シラノール基形成工程、及び第２焼成工程を備え、 前記第１焼成工程では、ＳｉＯ↓４四面体構造を有する原料アルミノケイ酸塩を加熱して、前記原料アルミノケイ酸塩中に酸素欠損を形成し、アルミノケイ酸塩系蛍光体中間体１を得、 前記シラノール基形成工程では、前記アルミノケイ酸塩系蛍光体中間体１の温度を下げ、前記アルミノケイ酸塩系蛍光体中間体１に水を接触させてシラノール基を形成し、アルミノケイ酸塩系蛍光体中間体２を得、 前記第２焼成工程では、前記アルミノケイ酸塩系蛍光体中間体２を加熱して、前記アルミノケイ酸塩系蛍光体中間体２を非晶質様にし、前記アルミノケイ酸塩系蛍光体を得る、製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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